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主编推荐语

本书介绍QLED在广泛应用的相关进展。

内容简介

量子点发光二极管(QLED)是显示领域的一种新型材料,因其具有发光效率高、可溶解加工、色域广、制造成本低、响应速度快等优势,备受科研人员关注,有望在商业上获得广泛应用。

本书旨在向读者介绍近年来国内外胶体量子点发光材料与器件的进展,全面总结胶体量子点发光二极管器件中各功能层关键材料和器件的设计及优化方案,探讨材料性能、器件结构、制备工艺等对器件性能的影响以及提高器件性能的相应策略,对追踪本领域新技术进展及进一步发展所面临的瓶颈和挑战都具有重要作用。

目录

  • 版权信息
  • 作者简介
  • 丛书总序
  • 前言
  • 绪论
  • 0.1 量子点的制备途径
  • 0.2 量子点的发光特点
  • 0.3 量子点在显示器件上的应用
  • 0.3.1 QLED的基本结构
  • 0.3.2 影响QLED发光的主要因素
  • 0.3.3 QLED的发展历史
  • 参考文献
  • 第一章 胶体量子点发光二极管结构与原理
  • 1.1 基本概念
  • 1.1.1 色纯度
  • 1.1.2 溶液可加工性
  • 1.1.3 稳定性
  • 1.1.4 量子点的表面态
  • 1.1.5 能级与能带
  • 1.1.6 金属与半导体
  • 1.1.7 电子与空穴
  • 1.1.8 费米分布函数与费米能级
  • 1.1.9 肖特基势垒
  • 1.2 胶体量子点发光器件
  • 1.2.1 QLED的基本结构
  • 1.2.2 QLED的工作原理
  • 1.2.3 QLED的工作参数
  • 参考文献
  • 第二章 胶体量子点材料合成与表征
  • 2.1 引言
  • 2.2 胶体量子点的合成及后处理
  • 2.2.1 直接加热法和热注射合成法
  • 2.2.2 前驱体化学
  • 2.2.3 配体化学和非配位溶剂
  • 2.2.4 胶体量子点的成核与生长机理
  • 2.2.5 晶种引导的生长和纳米晶体的定向附着生长
  • 2.2.6 核壳量子点的带隙调控工程及合成方法
  • 2.2.7 量子点的缺陷态及其应对策略
  • 2.3 材料表征
  • 2.3.1 紫外-可见吸收光谱和荧光光谱
  • 2.3.2 核磁共振波谱
  • 2.3.3 傅里叶变换红外光谱
  • 2.3.4 X射线光电子能谱
  • 2.3.5 透射电子显微镜
  • 2.3.6 小角X射线散射和宽角X射线散射
  • 2.3.7 X射线衍射仪
  • 2.3.8 荧光量子产率的测量
  • 2.4 总结与展望
  • 参考文献
  • 第三章 红光量子点发光二极管
  • 3.1 引言
  • 3.2 红光量子点材料
  • 3.2.1 材料
  • 3.2.2 量子点结构设计及优化
  • 3.3 红光QLED器件
  • 3.3.1 红光QLED器件结构发展
  • 3.3.2 常用器件结构
  • 3.4 总结与展望
  • 参考文献
  • 第四章 绿光量子点发光二极管
  • 4.1 引言
  • 4.2 绿光QLED中常用发光层材料
  • 4.2.1 离散核壳量子点
  • 4.2.2 合金化核壳量子点
  • 4.2.3 核多层壳量子点
  • 4.3 绿光QLED器件结构的发展
  • 4.4 影响绿光QLED性能的因素
  • 4.4.1 配体工程
  • 4.4.2 壳层工程
  • 4.4.3 器件结构的优化
  • 4.4.4 提高器件性能的其他策略
  • 4.5 总结与展望
  • 参考文献
  • 第五章 蓝光量子点发光二极管
  • 5.1 引言
  • 5.2 蓝光量子点发光材料
  • 5.2.1 含镉量子点
  • 5.2.2 无镉量子点
  • 5.3 电荷传输层的优化
  • 5.3.1 空穴传输层
  • 5.3.2 电子传输层
  • 5.4 器件结构
  • 5.5 总结与展望
  • 参考文献
  • 第六章 近红外量子点发光二极管
  • 6.1 引言
  • 6.2 近红外量子点材料
  • 6.2.1 硫属元素铅量子点
  • 6.2.2 硫属元素镉量子点
  • 6.2.3 硅量子点
  • 6.3 近红外量子点材料优化
  • 6.3.1 配体工程调控近红外量子点
  • 6.3.2 核壳结构调控近红外量子点
  • 6.3.3 基体中的量子点
  • 6.4 总结与展望
  • 参考文献
  • 第七章 白光量子点发光二极管
  • 7.1 白光的产生
  • 7.2 白光LED用量子点
  • 7.2.1 黄-蓝光复合白光量子点
  • 7.2.2 三基色发光量子点复合
  • 7.2.3 直接发射白光的量子点
  • 7.3 总结与展望
  • 参考文献
  • 第八章 无镉量子点发光材料与器件
  • 8.1 引言
  • 8.2 量子点和QLED
  • 8.2.1 InP量子点
  • 8.2.2 ZnSe量子点
  • 8.2.3 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ量子点
  • 8.3 优化QLED性能的方法
  • 8.3.1 配体工程
  • 8.3.2 壳体工程
  • 8.3.3 QLED结构优化
  • 8.4 总结与展望
  • 参考文献
  • 第九章 交流电驱动的量子点发光二极管
  • 9.1 直流电和交流电驱动QLED的发光原理
  • 9.1.1 场致交流电QLED
  • 9.1.2 半场致半注入交流电QLED
  • 9.1.3 交流/直流电双驱动模式QLED
  • 9.2 交流电驱动的QLED的优化策略
  • 9.2.1 场致交流电QLED的优化
  • 9.2.2 半场致半注入交流电QLED的优化
  • 9.2.3 交流/直流电双驱动模式QLED的优化
  • 参考文献
  • 第十章 量子点发光二极管的稳定性研究和衰减机理
  • 10.1 引言
  • 10.2 影响QLED稳定性的因素
  • 10.2.1 量子点发光层
  • 10.2.2 空穴传输层
  • 10.2.3 电子传输层
  • 10.2.4 其他功能层
  • 10.3 QLED效率衰减机理
  • 10.4 总结与展望
  • 参考文献
  • 第十一章 量子点发光二极管中的电子/空穴注入与传输材料
  • 11.1 引言
  • 11.2 电子传输层材料
  • 11.2.1 金属氧化物电子传输层材料
  • 11.2.2 电子传输层材料的修饰策略
  • 11.2.3 电子传输层复合材料的设计
  • 11.2.4 聚合物修饰电子传输层
  • 11.2.5 有机-无机杂化电子传输层
  • 11.2.6 双层堆叠型电子传输层材料
  • 11.3 空穴传输层材料
  • 11.3.1 掺杂
  • 11.3.2 复合
  • 11.3.3 新材料体系
  • 11.4 总结与展望
  • 参考文献
  • 第十二章 量子点产业化发展及专利布局
  • 12.1 引言
  • 12.2 量子点产业化发展及专利布局
  • 12.2.1 Nanosys公司的专利布局
  • 12.2.2 QD Vision公司的专利布局
  • 12.2.3 Nanoco公司的专利布局
  • 12.2.4 纳晶科技股份有限公司的专利布局
  • 12.2.5 苏州星烁纳米科技有限公司的专利布局
  • 12.2.6 深圳扑浪创新科技有限公司的专利布局
  • 12.2.7 三星的专利布局
  • 12.2.8 华星光电的专利布局
  • 12.2.9 京东方的专利布局
  • 12.2.10 TCL的专利布局
  • 12.3 总结与展望
  • 参考文献
  • 附录A 主要符号参数
  • 附录B 常用物理常数
  • 附录C 部分半岛体材料物理性质表
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出版方

北京大学出版社

北京大学出版社是在1979年,经国家出版事业管理局同意,教育部批准成立的,恢复了北京大学出版社建制。北京大学出版社依靠北大雄厚的教学、科研力量,同时积极争取国内外专家学者的合作支持,出版了大量高水平、高质量、适应多层次需要的优秀高等教育教材。 北大出版社注意对教材进行全面追踪,捕捉信息,及时修订,以跟上各学科的最新发展,反映该学科研究的最新成果,保持北大版教材的领先地位。