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402千字 字数
2021-08-01 发行日期
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主编推荐语

概括主动发光显示技术及应用

内容简介

微米量级的发光物体填充像素单元并呈矩阵分布的主动发光显示技术，历史悠久，发展潜力巨大。本书在结合产学研多年科研成果和工程实践的基础上，系统地介绍了主动发光显示技术的基本原理、实现技术，以及存在的问题与对策。全书共9章：第1章概述真空阴极射线发光、光致发光和电致发光的发光原理和相应的显示技术，第2章和第3章分别介绍属于真空阴极射线发光的真空荧光显示（VFD）技术和场发射显示（FED）技术，第4章介绍属于光致发光的等离子体显示（PDP）技术，第5章介绍属于本征型电致发光的电致发光显示（ELD）技术，第6章至第9章分别介绍属于注入式电致发光的发光二极管（LED）显示技术、有机发光二极管（OLED）显示技术、微型发光二极管（Micro LED）显示技术和量子点发光二极管（QLED）显示技术。本书可作为高校、科研单位、企业、政府等机构相关人员理解、应用和发展新型显示技术的重要参考资料。

目录

  • 封面
  • 前折页
  • 版权信息
  • 内容简介
  • 《国之重器出版工程》　编辑委员会
  • 新型显示技术丛书编委会
  • 总序
  • 序言
  • 前言
  • 第1章　绪论
  • 1.1　主动发光显示原理
  • 1.1.1　发光的基本原理
  • 1.1.2　发光与主动发光显示
  • 1.2　真空阴极射线发光与显示
  • 1.2.1　真空阴极射线发光原理
  • 1.2.2　基于真空阴极射线发光的显示技术
  • 1.3　光致发光与显示
  • 1.3.1　光致发光原理
  • 1.3.2　基于光致发光的显示技术
  • 1.4　电致发光与显示
  • 1.4.1　无机电致发光原理
  • 1.4.2　有机电致发光原理
  • 1.4.3　注入式电致发光与显示
  • 1.4.4　本征型电致发光与显示
  • 本章参考文献
  • 第2章　VFD显示技术
  • 2.1　彩色VFD显示基础
  • 2.1.1　VFD基本结构和功能
  • 2.1.2　VFD基本类型和应用
  • 2.1.3　彩色VFD显示技术
  • 2.2　VFD设计技术
  • 2.2.1　工作电极的设计技术
  • 2.2.2　驱动电路的设计技术
  • 2.2.3　VFD品质管控与设计
  • 2.3　新型VFD显示技术
  • 2.3.1　驱动内置VFD显示技术
  • 2.3.2　立体VFD显示技术
  • 本章参考文献
  • 第3章　FED显示技术
  • 3.1　FED显示基础
  • 3.1.1　FED基本结构与功能
  • 3.1.2　场致电子发射原理
  • 3.2　Spindt FED显示技术
  • 3.2.1　Spindt FED显示原理
  • 3.2.2　Spindt FED的场发射原理
  • 3.2.3　Spindt FED制造技术
  • 3.2.4　Spindt FED产品技术
  • 3.3　新型FED显示技术
  • 3.3.1　DLC FED显示技术
  • 3.3.2　CNT FED显示技术
  • 3.3.3　FAHED显示技术
  • 3.3.4　BSD显示技术
  • 3.3.5　SED显示技术
  • 本章参考文献
  • 第4章　PDP显示技术
  • 4.1　PDP发光原理
  • 4.1.1　PDP的电光特性
  • 4.1.2　DC-PDP显示原理
  • 4.1.3　AC-PDP显示原理
  • 4.1.4　PDP结构的改进
  • 4.2　PDP工艺技术
  • 4.2.1　PDP主要部件与工艺流程
  • 4.2.2　前基板的制作工艺
  • 4.2.3　后基板的制作工艺
  • 4.2.4　总装工艺
  • 4.3　PDP驱动技术
  • 4.3.1　PDP驱动电路
  • 4.3.2　PDP能量恢复电路
  • 4.3.3　PDP灰阶显示与动态轮廓
  • 4.3.4　寻址型多灰阶驱动方法
  • 4.3.5　表面交替发光多灰阶驱动法
  • 4.3.6　降低动态伪轮廓的驱动法
  • 4.4　PDP发光效率提升技术
  • 4.4.1　PDP显示的发光效率
  • 4.4.2　PDP像素障壁结构的改进
  • 4.4.3　PDP电极结构的改进
  • 4.4.4　PDP材料改进技术
  • 4.4.5　PDP驱动改进技术
  • 本章参考文献
  • 第5章　ELD显示技术
  • 5.1　ELD显示共性技术
  • 5.1.1　发光中心特性
  • 5.1.2　基质材料
  • 5.1.3　电介质材料
  • 5.2　PELD显示技术
  • 5.2.1　AC-PELD显示技术
  • 5.2.2　DC-PELD显示技术
  • 5.2.3　DC-PELD的交流特性
  • 5.3　TFELD显示技术
  • 5.3.1　TFELD器件特性
  • 5.3.2　TFELD电光特性
  • 5.4　TDELD显示技术
  • 5.4.1　TDELD工作原理
  • 5.4.2　TDELD彩色显示技术
  • 5.4.3　蓝色荧光粉技术
  • 5.4.4　TDELD工艺技术
  • 本章参考文献
  • 第6章　LED显示技术
  • 6.1　LED发光原理与特性
  • 6.1.1　LED发光原理
  • 6.1.2　LED电学特性
  • 6.1.3　LED光学特性
  • 6.1.4　LED热学特性
  • 6.2　LED光源技术
  • 6.2.1　LED芯片的制造与封装
  • 6.2.2　白光LED技术
  • 6.2.3　侧光式LED背光源技术
  • 6.2.4　直下式LED背光源技术
  • 6.3　LED显示技术
  • 6.3.1　LED显示系统结构及组成
  • 6.3.2　LED显示屏分类
  • 6.3.3　LED显示屏关键光电参数
  • 6.3.4　LED显示屏关键技术
  • 6.4　LED驱动技术
  • 6.4.1　直流驱动技术
  • 6.4.2　脉冲驱动和脉冲宽度调制技术
  • 6.4.3　LED级联设计
  • 6.5　LED显示图像质量及均匀性控制技术
  • 6.5.1　影响LED图像质量的显示控制因素
  • 6.5.2　影响LED显示均匀性的主要因素
  • 6.5.3　LED显示均匀性控制精度
  • 6.6　LED发光效率
  • 6.6.1　LED发光效率与寿命
  • 6.6.2　提升发光效率的芯片技术
  • 6.6.3　提升发光效率的工艺技术
  • 6.6.4　提升发光效率的材料技术
  • 本章参考文献
  • 第7章　OLED显示技术
  • 7.1　OLED发光原理与构造
  • 7.1.1　OLED器件结构
  • 7.1.2　OLED发光机理
  • 7.1.3　OLED材料技术
  • 7.2　OLED工艺技术
  • 7.2.1　OLED工艺技术概述
  • 7.2.2　清洗和预处理技术
  • 7.2.3　真空成膜关键技术
  • 7.2.4　封装技术
  • 7.3　PLED显示技术
  • 7.3.1　PLED器件结构
  • 7.3.2　PLED工作原理
  • 7.3.3　PLED材料技术
  • 7.3.4　PLED工艺技术
  • 7.4　OLED驱动技术
  • 7.4.1　OLED驱动技术概述
  • 7.4.2　PMOLED驱动技术
  • 7.4.3　AMOLED驱动概述
  • 7.4.4　电压编程方式补偿像素电路
  • 7.4.5　电流编程方式补偿像素电路
  • 7.4.6　电压控制型和电流控制型的比较
  • 7.5　OLED显示技术的发展
  • 7.5.1　OLED显示技术的优势
  • 7.5.2　OLED的挑战与发展
  • 7.5.3　OLED彩色化方案
  • 7.5.4　OLED显示的精细化与大型化
  • 本章参考文献
  • 第8章　Micro-LED显示技术
  • 8.1　Micro-LED的基本技术特征
  • 8.1.1　Micro-LED技术简介
  • 8.1.2　Micro-LED的衬底和外延技术
  • 8.2　无源矩阵Micro-LED阵列
  • 8.2.1　无源矩阵Micro-LED阵列制备工艺
  • 8.2.2　无源矩阵Micro-LED阵列器件性能
  • 8.3　集成于硅基CMOS衬底的有源矩阵Micro-LED阵列
  • 8.3.1　有源矩阵Micro-LED器件结构与制备工艺
  • 8.3.2　Micro-LED晶圆级整体绑定技术与工艺
  • 8.4　集成于TFT基板的有源矩阵Micro-LED阵列
  • 8.4.1　GaN Micro-LED的制备及其与柔性像素电路的集成
  • 8.4.2　有源矩阵Micro-LED器件性能
  • 8.4.3　Micro-LED阵列的巨量转移与修复技术
  • 8.5　Micro-LED彩色显示
  • 8.5.1　红、绿、蓝三色LED组合实现彩色显示
  • 8.5.2　采用色彩转换的Micro-LED全彩色显示
  • 本章参考文献
  • 第9章　QLED显示技术
  • 9.1　量子点材料技术基础
  • 9.1.1　量子点材料的基本效应
  • 9.1.2　量子点发展历程
  • 9.2　基本发光原理与发光特性
  • 9.2.1　量子点的光致发光原理
  • 9.2.2　量子点的发光特性
  • 9.3　量子点制造技术
  • 9.3.1　量子点合成技术
  • 9.3.2　量子点表面工程
  • 9.3.3　量子点结构
  • 9.3.4　量子点类型
  • 9.4　QLED器件的制备技术
  • 9.4.1　QLED器件发展历史
  • 9.4.2　QLED结构分类
  • 9.4.3　电荷传输层（CTL）
  • 9.4.4　电驱动QLED技术
  • 9.4.5　限制QLED效率的主要因素
  • 9.4.6　QLED器件寿命
  • 9.4.7　镉型QLED显示技术
  • 9.4.8　无镉型QLED显示技术
  • 本章参考文献
  • 封底
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出版方

电子工业出版社

电子工业出版社成立于1982年10月，是国务院独资、工信部直属的中央级科技与教育出版社，是专业的信息技术知识集成和服务提供商。经过三十多年的建设与发展，已成为一家以科技和教育出版、期刊、网络、行业支撑服务、数字出版、软件研发、软科学研究、职业培训和教育为核心业务的现代知识服务集团。出版物内容涵盖了电子信息技术的各个分支及工业技术、经济管理、科普与少儿、社科人文等领域，综合出版能力位居全国出版行业前列。